Die SG-P5-Serie hochintegrierter Silizium-Resonanzdrucksensoren nutzt einen integrierten Schaltkreis (ASIC), um die Regelfunktion des Schaltkreises zu erreichen.

Die MEMS + ASIC-Produktlösung reduziert nicht nur die Produktgröße, sondern trägt auch zur Kostenkontrolle bei. Im Vergleich zu anderen ähnlichen Produkten weist es hinsichtlich der Form offensichtliche Vorteile auf. Zu seinen Hauptanwendungsszenarien gehören kostengünstige Raketen, Schwarmdrohnen und eVTOL.

Merkmale

Die umfassende Genauigkeit der gesamten Temperatur und des gesamten Bereichs kann ±0,01 % FS erreichen
Frequenzsignalausgang
Der größte Temperaturbereich kann zwischen -55 und 85 Grad liegen
Verschiedene elektrische Schnittstellen und Druckschnittstellen sind optional

Highly Integrated Silicon Resonant Pressure Sensor

Spezifikationen

Druckbereich	140 kPa	Wählen Sie beliebig zwischen 0 und optionalem Druckbereich mit Kalibrierbereich, minimaler Kalibrierdruck 5 kPa
	280 kPa
Art des Drucks	Absoluter Druck
Messmedium	Trockenes, nicht-korrosives Gas
Druck brechen	140 kPa: 3,5×FS	Überlastdruck	140 kPa: 3,0×FS
	280 kPa: 2,0×FS		280 kPa: 1,5×FS
			350 kPa: 1,2×FS
Versorgungsspannung	15 V ± 0,5 V Gleichstrom	Aktueller Verbrauch	Kleiner oder gleich 30 mA
Optionale kombinierte Genauigkeit	±0.01%F.S.	Langfristige Stabilität	Erhöhte Stufe ±0,01 % FS
	±0.02%F.S.		Standardgrad ±0,02 % FS
Ansprechzeit	Der Druck ändert sich innerhalb von 25 ms von 10 % FS auf 90 % FS	Beschleunigungseffekte	<5 Pa/g
Startzeit	250 ms erreichen den Genauigkeitsindex nach der Stromversorgung
Ausgabebereich	Druckfrequenz: 30 kHz ~ 50 kHz
	Temperaturspannung: 0 mV ~ 1500 mV
Ausgabemethode	Druckfrequenz + Temperaturspannung
Kompensationstemperaturbereich	-40~80 Grad
	-55~85 Grad
Druckschnittstelle	φ2mm×7mm

Gesamtdimension

Highly Integrated Silicon Resonant Pressure Sensor

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SG-P5 Hochintegrierter Silizium-Resonanzdrucksensor

Merkmale

Spezifikationen

Gesamtdimension