
SG-H22 Hochtemperatur-Druckchip
2. Hohe Zuverlässigkeit
3. Großer Temperaturbereich: -55 Grad ~ 300 Grad
Bei den Druckchips der Serie SG-H22 handelt es sich um piezoresistive druckempfindliche Chips aus Silizium, die auf der SOI-Technologie basieren und hohen Temperaturen von bis zu 300 Grad standhalten. Diese Chipserie nutzt das piezoresistive Erkennungsprinzip. Wenn sich die druckempfindliche Membran unter Druck verformt, charakterisiert die Widerstandsänderung an der empfindlichen Membran die Größe des Eingangsdrucks. Bei Erregung durch eine Konstantspannungs-/Konstantstromquelle steht die erzeugte Ausgangsspannung in einem linearen Verhältnis zum Eingangsdruck.

Die Chips der SG-H22-Serie zeichnen sich durch hohe Stabilität, hohe Wiederholgenauigkeit und einen großen Betriebstemperaturbereich aus. Sie eignen sich für verschiedene Verpackungsformen und können je nach Anwendungsumgebung Absolutdruck- (A) oder Überdruck- (G) Chips liefern und sind für die digitale Kompensation und die Widerstandsnetzwerkkompensation anwendbar.
- Hohe Wiederholgenauigkeit
- Hohe Zuverlässigkeit
- Großer Temperaturbereich: -55 Grad ~ 300 Grad
- Meteorologische Messung
- Atmosphärisches Datensystem
- Ölbohrung
- Industrielle Messung und Steuerung

Leistungsangaben
|
Standardsortiment |
|||
|
10M0 |
0 ~ 10 MPa |
G/A |
1500 psi |
|
20M0 |
0 ~ 20 MPa |
G/A |
3000 psi |
|
28M0 |
0 ~ 28 MPa |
G/A |
4000 psi |
|
45M0 |
0 ~ 45 MPa |
G/A |
6500 psi |
|
70M0 |
0 ~ 70 MPa |
G/A |
10000 psi |
|
Überlastdruck |
2 mal |
Nenndruck |
|
Leistungsparameter
|
Parameter |
Min |
Typisch |
Max |
Einheit |
Markieren |
|
Wiederholbarkeit |
0.01 |
0.03 |
0.05 |
±%FSO |
2 |
|
Linearität |
0.01 |
0.15 |
0.2 |
±%FSO |
1 |
|
Hysterese |
0.01 |
0.03 |
0.05 |
±%FSO |
2 |
|
Nulltemperatur-Hysterese |
0.01 |
0.1 |
0.2 |
±%FSO |
2 3 |
|
Hysterese der Empfindlichkeitstemperatur |
0.01 |
0.1 |
0.2 |
±%FSO |
2 3 |
|
Voller Bereich |
80 |
100 |
120 |
mV |
2 3 |
|
Nulltemperaturkoeffizient TCO |
-500 |
-100 |
500 |
ppm/Grad |
2 |
|
Empfindlichkeitstemperaturkoeffizient TCS |
-1200 |
-950 |
-800 |
ppm/Grad |
|
|
Temperaturkoeffizient des Brückenwiderstands TCR |
1400 |
1600 |
1800 |
ppm/Grad |
2 |
Charakteristischer Parameter
|
Erregung |
Einheit |
|
2~10 |
V |
|
0.2~2 |
mA |
|
Brückenwiderstand |
2kΩ - 5kΩ |
|
Arbeitstemperatur |
-55 Grad ~ 300 Grad |
|
Gewicht |
0.03~0.05g |
|
Brückenform |
Halboffene Brücke |
|
Geeignetes Medium |
Sauber, trocken und frei von korrosiven Gasen |
Dimension
|
Druckbereich |
Gesamtdimension |
|
10 MPa ~ 70 MPa |
2.5×2.5×2.4 |
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